Cada vez es más complicado para los fabricantes de memoria NAND 3D lograr encapsular más capas en un único chip. Hay limitaciones físicas de interconexión y de gestión de los circuitos periféricos necesarios para que funcionen. Así que Samsung lleva tiempo trabajando en un encapsulado avanzado que permite combinar dos chips de su V-NAND de alta cantidad de capas en un único chip, lo cual es necesario para aumentar la densidad de bits en las SSD y almacenamiento en general de teléfonos y otros productos en los que van estos chips sueltos. El siguiente paso para Samsung sería un chip de 900 capas combinando dos chips de V-NAND de 450 capas.
La tecnología utilizada para combinar esos dos chips sería la de multienlazado de celdas (CMB), que sería una variante de apilamiento sobre oblea utilizando entrelazado híbrido. La idea de Samsung es poner en el mercado en 2030 chips de V-NAND de más de mil capas, y por ahora está camino de conseguirlo antes de tiempo. El problema probablemente estará en asegurar una buena productividad de este método de entrelazado entre chips, y no se espera que estos chips de 900 capas estén disponibles este año. Lo que tiene planeado es que entre en producción este año la V-NAND de 10.ª generación que tiene algo más de 400 capas por chips.
Vía: TechPowerUp.
