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Etiqueta: Litografías

Samsung comienza la producción en masa de chips de LPDDR5 de 2 GB

Samsung comienza la producción en masa de chips de LPDDR5 de 2 GB
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Samsung sigue avanzando el sector de la memoria LPDDR5 usada sobre todo en móviles, aunque los procesadores de movilidad van a ser compatibles con ella como los Tiger Lake de Intel. Ahora la compañía ha anunciado el inicio de la producción en masa de chips LPDDR5 de 2 GB de capacidad (16 Gb) usando una litografía con luz ultravioleta extrema (UVE). Samsung emplea un proceso litográfico de clase 1z nm, que es un proceso equivalente a unos 12 a 14 nm.

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TSMC asegura que tiene la mitad de los equipos de UVE y el 60 % de la capacidad de producción

TSMC asegura que tiene la mitad de los equipos de UVE y el 60 % de la capacidad de producción
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Los procesos litográficos avanzados utilizan luz ultravioleta extrema (UVE) en varias de sus capas, y cuanto más avanzado sea en más capas se usa. No es extraño que TSMC sea la empresa que más demanda tiene de estos procesos litográficos ya que según lo indicado por la compañía en su congreso tecnológico celebrado en los últimos días ha asegurado que dispone de la mitad de los escáneres usados para la producción de la obleas con luz UVE, y eso le permite alcanzar el 60 % de la producción total mundial de obleas con luz UVE.

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La producción a 5 nm será el 11 % del total de TSMC, y tiene menos defectos que los 7 nm

La producción a 5 nm será el 11 % del total de TSMC, y tiene menos defectos que los 7 nm
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Los procesos litográficos realmente avanzados de TSMC son aquellos que desde 2013 llegan con los FinFET, los transistores de efecto de campo de aleta —una barra conecta la puerta de todos los transistores haciendo que la fuente y drenador parezcan aletas—. Por eso en Simposio Tecnológico 2020 que está celebrando la compañía al hablar de la producción de los 5 nm hay que situarla dentro de la producción de los procesos litográficos avanzados. O sea, los de 16 nm FinFET o de mejor nodo litográfico FinFET.

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TSMC desarrolla un nuevo proceso N12e para dispositivos del internet de las cosas e IA

TSMC desarrolla un nuevo proceso N12e para dispositivos del internet de las cosas e IA
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No todos los dispositivos necesitan los procesos tecnológicos más punteros y por eso en la actualidad se siguen utilizando mucho algunos procesos litográficos de más de 40 nm. Pero dentro de lo que cabe, todo tiene que evolucionar, y poniendo la mirada en el sector del internet de las cosas y la inteligencia artificial hay margen para mejorar el actual proceso 22ULP y 22ULL que ofrece TSMC a las compañías. El proceso tiene ventajas de un muy bajo consumo, idóneo para el internet de las cosas, pero la compañía ha desarrollado uno mejor y más específico de 12 nm denominado N12e.

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TSMC habla de su proceso de 3 nm, entrará en producción en 2022

TSMC habla de su proceso de 3 nm, entrará en producción en 2022
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TSMC es el mayor fabricante de chips para diseños de terceros, y no tiene pinta de pisar el freno en el desarrollo de nuevos procesos litográficos. La compañía ha confirmado que lleva unos meses iniciando obleas con su proceso litográfico de 5 nm (N5), pero tiene en desarrollo uno nuevo denominado N5P que proporcionará un 5 % más de eficiente energética y rendimiento con un 10 % de reducción de consumo.

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Samsung tiene lista su tecnología de apilamiento de chips heterogéneos en el mismo encapsulado

Samsung tiene lista su tecnología de apilamiento de chips heterogéneos en el mismo encapsulado
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Los principales productores de semiconductores saben perfectamente que la ley de Moore ha obligado a la reducción del tamaño de los transistores topándose con escollos en el proceso como es el tamaño de los propios chips. Para avanzar en esta ley lo que empresas como Intel y TSMC han desarrollado es, tomando buena nota de los productores de memoria, tecnologías de apilamiento de chips usando vías a través del silicio para unir distintos chips. Samsung es la siguiente en sumarse a estas tecnologías.

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Huawei empezaría a fabricar sus propios chips antes de final de año, empezando por 45 nm

Huawei empezaría a fabricar sus propios chips antes de final de año, empezando por 45 nm
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Los problemas por los que está atravesando Huawei con motivo de su bloqueo comercial con EE. UU. está teniendo ramificaciones en todo su proceso productivo. Puesto entra ya en efecto un veto de comercio con TSMC al usar tecnología estadounidense la fabricación de chips con los procesos litográficos más avanzados queda en el aire. Pero Huawei pretende ir pavimentando el futuro litográfico con una serie de acuerdos comerciales con compañías del sector de origen chino o claramente no relacionadas con tecnología de EE. UU.

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Samsung desarrolla un nuevo material para mejorar la calidad de los semiconductores

Samsung desarrolla un nuevo material para mejorar la calidad de los semiconductores
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Aunque las noticias más comunes sobre procesos litográficos tienen que ver con el nivel de integración de los transistores y otros componentes de las obleas, es igual o más de importante los materiales que se utilizan para crearlos. No todos los materiales utilizados siguen siendo válidos cuando se quiere pasar de procesos litográficos de 10 nm a 5 nm o cuando se pasa de crear las obleas con patrones múltiples a luz ultravioleta extrema. Samsung aparentemente ha hecho un gran avance en este apartado de los materiales al hacer viable el uso de nitruro de boro amorfo en la creación de los chips.

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TSMC confirma el desarrollo de un proceso de 4 nm que estará listo para 2023

TSMC confirma el desarrollo de un proceso de 4 nm que estará listo para 2023
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TSMC tiene un itinerario bastante apretado para los próximos años con diversos nodos y subnodos litográficos, y lo que hasta ahora era un rumor de que desarrollaba un nodo de 4 nm ha sido confirmado por el presidente del Consejo de Dirección, Liu Deyin. Ese nodo se trata de un subnodo del nodo principal de 5 nm (N5), y específicamente una versión de la versión de por sí mejorada N5P.

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ASML desarrolla la primera herramienta de inspección multihaz para obleas a 5 nm

ASML desarrolla la primera herramienta de inspección multihaz para obleas a 5 nm
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Uno de los problemas a los que se han enfrentado las compañías para llevar los procesos litográficos por debajo de los 7 nm es a la aparición de defectos por causas que no siempre son conocidas. En el proceso de producción suelen incluirse aparatos de medición para detectar posibles defectos en las obleas (metrología), pero hasta ahora no había una herramienta para los procesos más modernos con luz ultravioleta extrema y a 5 nm hacia abajo. ASML, el mayor fabricante de escáneres litográficos, ha anunciado la eScan1000, una herramienta para detectar defectos a esos niveles.

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