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Etiqueta: Litografías

Samsung presenta el Exynos 1080, su primer SoC fabricado a 5 nm

Samsung presenta el Exynos 1080, su primer SoC fabricado a 5 nm
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Samsung mantiene viva la línea de sistemas en chip (SoC) Exynos con el nuevo modelo Exynos 1080. Tiene la particularidad de ser el primero fabricado con el proceso de 5 nm de la compañía. Ya está en producción en masa, lo que mantiene viva la rivalidad litográfica entre Samsung y TSMC, aunque esta última es la fundición de referencia para los diseñadores de chips sin fábricas. Volviendo al Exynos 1080, este procesador no tiene todavía un móvil que lo use, pero en breve deberían llegar diversos modelos, incluidos de Vivo y la propia Samsung.

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TSMC y ASML vuelven a hablar sobre la tecnología de fabricación de chips a 3 nm

TSMC y ASML vuelven a hablar sobre la tecnología de fabricación de chips a 3 nm
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La fundición más avanzadas usada por terceros para producir sus diseños es indiscutiblemente TSMC. Puede que Samsung haya hecho progresos y abierto nuevas líneas de fabricación para esas empresas, pero todavía le falta limar asperezas a la hora de facilitar el diseño de los chips y los programas de pruebas. Sea como sea, ambas compañías llevan unas semanas hablando sobre sus procesos de 3 nm de manera superficial, si bien TSMC ha querido ahora seguir haciendo ruido con este proceso litográfico que no se usará en producción en masa hasta 2022.

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SMIC finaliza el diseño de su proceso litográfico N+1

SMIC finaliza el diseño de su proceso litográfico N+1
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SMCI es la fundición de chips más avanzada de China, y actualmente produce obleas con una litografía de 14 nm. Sin embargo, hace unos meses anunció que tenía en desarrollo un proceso denominado N+1 con ventajas cercanas a las de un proceso de 7 nm de otras compañías pero sin llegar a serlo. Ahora el proceso de desarrollo ha finalizado con la grabación de las máscaras definitivas para enviarlas a la fábrica y empezar las pruebas de producción.

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TSMC empieza la construcción de la fábrica que creará chips a 2 nm

TSMC empieza la construcción de la fábrica que creará chips a 2 nm
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Una vez que TSMC ha encontrado la forma de desarrollar su proceso litográfico de 2 nm utilizando los GAAFET, los planes de la compañía requieren seguir expandiendo su capacidad de producción. Es una empresa que produce más de doce millones de obleas anualmente, por lo que es con diferencia la fundición para terceros más solicitada del mundo. Intel y Samsung tienen más capacidad de producción, pero es para autoconsumo, aunque si TSMC sigue expandiéndose a este ritmo puede que desbanque a alguna de las dos. Sea como sea, llegan noticias de que TSMC ya ha empezado a construir la fábrica en la que instalará las líneas de producción a 2 nm.

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TSMC utilizaría los GAAFET para su proceso litográfico de 2 nm

TSMC utilizaría los GAAFET para su proceso litográfico de 2 nm
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TSMC habló recientemente de su proceso litográfico de 3 nm, y muchas cejas se levantaron cuando indicó que en él seguiría usando los transistores de efecto de campo de aleta (FinFET). Si la compañía quiere avanzar más allá de ese punto está casi obligada a cambiar el tipo de transistor, y es un paso que Samsung va a dar ya en su proceso litográfico de 3 nm para abrazar los GAAFET (transistor de efecto de campo de puerta completa, gate all-around field-effect transistor), y aparentemente sería el tipo de transistor que TSMC está desarrollando para su proceso litográfico de 2 nm.

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Estiman el precio de producción de las obleas de TSMC a 5 nm en unos 17 000 dólares

Estiman el precio de producción de las obleas de TSMC a 5 nm en unos 17 000 dólares
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El coste de los proceso litográficos más punteros siempre es alto, pero las fundiciones de chips no hacen públicos los precios. Si un cliente quiere conocerlos, tiene que ponerse en contacto con ellas y hablar de volúmenes de producción y diseños concretos para luego estimar el coste. No es lo mismo tampoco producir un chip sencillo que uno que mezcle núcleos de procesamiento con DRAM, porque ambas estructuras se producen de manera distinta. Esto afecta directamente al número de pasos que se tienen que dar en la producción de la oblea.

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EE. UU. estudia vetar el comercio con SMIC, el productor de semiconductores más avanzado de China

EE. UU. estudia vetar el comercio con SMIC, el productor de semiconductores más avanzado de China
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Si continúan las protestas cada vez más violentas que la izquierda lleva meses alentando en EE. UU. y no son condenadas por los demócratas, entonces en noviembre Trump será reelegido por mero hastío de la clase obrera estadounidense. Así lo dicen las encuestas en un vuelco para las expectativas de Biden respecto a hace dos meses que le daban como claro ganador. Quizás eso esté llevando a Trump a seguir con su política de vetos comerciales a China y a seguir estudiando propuestas que mermen el crecimiento tecnológico del gigante asiático. La última a la que quiere añadir a la lista negra comercial es a SMIC.

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Samsung comienza la producción en masa de chips de LPDDR5 de 2 GB

Samsung comienza la producción en masa de chips de LPDDR5 de 2 GB
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Samsung sigue avanzando el sector de la memoria LPDDR5 usada sobre todo en móviles, aunque los procesadores de movilidad van a ser compatibles con ella como los Tiger Lake de Intel. Ahora la compañía ha anunciado el inicio de la producción en masa de chips LPDDR5 de 2 GB de capacidad (16 Gb) usando una litografía con luz ultravioleta extrema (UVE). Samsung emplea un proceso litográfico de clase 1z nm, que es un proceso equivalente a unos 12 a 14 nm.

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TSMC asegura que tiene la mitad de los equipos de UVE y el 60 % de la capacidad de producción

TSMC asegura que tiene la mitad de los equipos de UVE y el 60 % de la capacidad de producción
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Los procesos litográficos avanzados utilizan luz ultravioleta extrema (UVE) en varias de sus capas, y cuanto más avanzado sea en más capas se usa. No es extraño que TSMC sea la empresa que más demanda tiene de estos procesos litográficos ya que según lo indicado por la compañía en su congreso tecnológico celebrado en los últimos días ha asegurado que dispone de la mitad de los escáneres usados para la producción de la obleas con luz UVE, y eso le permite alcanzar el 60 % de la producción total mundial de obleas con luz UVE.

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La producción a 5 nm será el 11 % del total de TSMC, y tiene menos defectos que los 7 nm

La producción a 5 nm será el 11 % del total de TSMC, y tiene menos defectos que los 7 nm
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Los procesos litográficos realmente avanzados de TSMC son aquellos que desde 2013 llegan con los FinFET, los transistores de efecto de campo de aleta —una barra conecta la puerta de todos los transistores haciendo que la fuente y drenador parezcan aletas—. Por eso en Simposio Tecnológico 2020 que está celebrando la compañía al hablar de la producción de los 5 nm hay que situarla dentro de la producción de los procesos litográficos avanzados. O sea, los de 16 nm FinFET o de mejor nodo litográfico FinFET.

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