Samsung y TSMC han tenido sus problemas y retrasos con sus procesos litográficos de 3 nm pero aparentemente en el tercer trimestre del año deberían llegar los primeros chips productos con ellos al sector consumo. El iPhone 15 o algún nuevo Mac son candidatos para ello. Por eso tienen la mirada puesta en la segunda generación a 3 nm, y Samsung hablará de ella en el Simposio de Circuitos y Tecnología de VLSI que se celebrará el IEEE a mediados de junio en Kioto (Japón).
La compañía ha indicado que este proceso 3nm de segunda generación, al que llama ahora SF3 frente al SF3E actual, aportará frente al de 4 nm LPP (SF4) un 22 % más de rendimiento a mismo consumo, un 34 % menos de consumo a mismo rendimiento, y una reducción del 21 % del área que ocupan los circuitos lógicos, pero no ha dicho nada de si reducirá algo los circuitos de memoria, generalmente SRAM.
Kye Hyun Kyung, director de la división de Soluciones de Dispositivos de Samsung Electronics, ha indicado que la «tecnología de la fundición de Samsung Electronics está por detrás de la de TSMC», pero a su vez se muestra seguro de que podrá superar a la tecnología de TSMC en menos de cinco años. Samsung Foundry tiene ventaja en el uso de los transistores de efecto de campo de puerta envolvente (GAAFET), y está resolviendo ahora los problemas que TSMC e Intel se encontrarán en 2025 cuando produzcan chips con sus procesos de 2 nm con GAAFET.
El proceso SF3 expandirá el uso de los GAAFET, que en este caso Samsung los llama MBCFET como marca registrada. En lugar de nanotubos, Samsung usa nanoláminas, que en esta segunda generación permitirá aparentemente a sus clientes modificar su ancho lo cual permite un ajuste fino del consumo de los transistores. Es probable que hable de las dificultades de la producción de estos MBCFET.
Vía: Tom's Hardware.
