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Etiqueta: Samsung Foundry

Samsung Foundry producirá un chip a 2 nm con HBM para una firma japonesa

Samsung Foundry producirá un chip a 2 nm con HBM para una firma japonesa
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david

10 jul 2024

Samsung está teniendo problemas a la hora de captar clientes para su fundición de chips, principalmente por la baja productividad de sus procesos litográficos. Aun así, sigue mejorándola poco a poco, y litografías como la de 2 nm que tiene en preparación es muy jugosa siempre que la compañía la oferte al precio adecuado. Había un rumor de principios de año que aseguraba que Preferred Networks (PFN) iba a cerrar un acuerdo con Samsung para la producción de un diseño, y finalmente así será como ha anunciado Samsung Electronics.

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Samsung hablará de su proceso litográfico de 2 nm en junio

Samsung hablará de su proceso litográfico de 2 nm en junio
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01 may 2024

Puede que nadie fuera de Samsung quiera utilizar su proceso litográfico de 3 nm para sus chips, o muy pocas empresas, pero para su uso interno del entramado de Samsung es muy importante. Lo es también el próximo proceso de 2 nm que la compañía presentará formalmente en el Simposio VLSI 2024 que tendrá lugar en junio. Este proceso litográfico lo llama SF2, y será la tercera generación de sus GAAFET, que en su caso llama MBCFET como nombre registrado comercialmente.

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Samsung habría renombrado su proceso de 3 nm como uno de 2 nm porque… ¿por qué no?

Samsung habría renombrado su proceso de 3 nm como uno de 2 nm porque… ¿por qué no?
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05 mar 2024

El nombre de los procesos litográficos ya no tienen nada que ver con el tamaño de los transistores, y no lo tienen que ver desde hace bastante más de una decada. La que se ha mantenido más fiel al espíritu del tamaño de los transistores es Intel, y para competir con ella Samsung y TSMC se inventaban los nanómetros de la litografía. Que es por lo que al final, que Samsung haya renombrado su proceso litográfico de 3 nm como uno de 2 nm, pues importa entre poco y nada. Va a seguir siendo un proceso litográfico que no quiere usar nadie.

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Intel Foundry estaría contratando directivos de Samsung con el objeto de convertirse en la segunda mayor fundición

Intel Foundry estaría contratando directivos de Samsung con el objeto de convertirse en la segunda mayor fundición
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04 mar 2024

Pat Gelsinger está poniendo todo su empeño en convertir a Intel Foundry en la segunda mayor fundición del mundo. Está cerrando acuerdos con multitud de empresas bajo la promesa de producir con unos procesos litográficos que todavía no ha terminado de desarrollar. Y teniendo en cuenta que es Intel, probablemente cumplirá con los plazos pero solo con producciones muy limitadas. Pero todavía es un sector del que no tiene toda la información, por lo que según la no siempre fiable Digitimes la nueva dirección de Intel Foundry habría puesto la mirada en los directivos de Samsung Foundry.

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Samsung mejoraría la entrega de energía a los transistores y reduciría lo que ocupan un 19 % en su litografía de 2 nm

Samsung mejoraría la entrega de energía a los transistores y reduciría lo que ocupan un 19 % en su litografía de 2 nm
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29 feb 2024

Samsung está claramente por detrás de Intel y TSMC en cuanto a procesos litográficos, porque el que casi nadie se atreva a contratar producción a 3 nm de Samsung Foundry es un indicativo de que algo está mal en el trabajo de sus ingenieros. Por eso la compañía tiene puesta la mirada en el proceso de 2 nm, que incluiría importantes mejoras en todos los terrenos, y añadiría nuevas tecnologías como la entrega trasera de energía a los transistores.

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Samsung y Arm colaboran para optimizar los núcleos Cortex-A y Cortex-X al proceso de 2 nm

Samsung y Arm colaboran para optimizar los núcleos Cortex-A y Cortex-X al proceso de 2 nm
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21 feb 2024

Arm desarrolla sus nuevas arquitecturas de CPU y GPU teniendo en cuenta las ganancias que se obtienen con las litografías punteras, y no tanto por lo que se gane de rendimiento o se reduzca el consumo, que también, sino por el aumento de complejidad que permiten en los diseños. Ahora la compañía británica ha anunciado una colaboración con Samsung Foundry para adaptar sus próximos Cortex-A y Cortex-X a la litografía de 2 nm de la compañía.

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Una empresa japonesa de robótica e IA opta por los 2 nm de Samsung frente a TSMC

Una empresa japonesa de robótica e IA opta por los 2 nm de Samsung frente a TSMC
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15 feb 2024

Samsung Foundry está un pelín desesperada por hacer ver que sus procesos litográficos recortan distancias frente a los de TSMC, pero de momento sigue teniendo problemas para convencer a los grandes diseñadores de chips. Eso sí, las empresas más pequeñas pueden verla como una alternativa más económica, y es lo que ha hecho la empresa Preferred Networks (PFN) radicada en Japón.

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Samsung comenzará pronto con la producción de chips con la 2.ª generación del nodo de 3 nm

Samsung comenzará pronto con la producción de chips con la 2.ª generación del nodo de 3 nm
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24 ene 2024

Samsung sigue desarrollando su litografía puntera para aumentar su productividad y adaptarla a las necesidades de sus clientes. Eso llevaría a que el proceso litográfico SF3 de segunda genreación estaría listo en la segunda mitad del año. El año pasado, Samsung reveló sus planes de comenzar la producción masiva bajo su proceso SF3 y su proceso de 4 nm de cuarta generación para HPC en la segunda mitad de 2024, con el objetivo de superar una productividad del 60 % por oblea.

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Samsung anuncia nuevos monitores Odyssey OLED

Samsung anuncia nuevos monitores Odyssey OLED
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03 ene 2024

Samsung se adelanta un poco al inicio de la CES 2024 con el anuncio de tres monitores Odyssey OLED, los cuales tendrá en exposición en su puesto de la feria. El primero es el OLED OLED G9 (G95SD), un modelo ultrapanorámico de 124 cm de diagonal (49 in) con una resolución DQHD (5120 × 1440 píxeles), por lo que son dos paneles QHD en uno (aspecto 32:9). Tiene un refresco de 240 Hz, y un tiempo de respuesta de 0.03 ms.

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Samsung se centrará en mejorar los GAAFET en su proceso de 1.4 nm

Samsung se centrará en mejorar los GAAFET en su proceso de 1.4 nm
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06 nov 2023

Samsung Foundry ha sido la primera compañía en utilizar los transistores de efecto de campo de puerta envolvente (GAAFET) en uno de sus nodos litográficos, lo cual le ha permitido acercarse a las características de los nodos más avanzados de TSMC. Pero la compañía va a seguir evolucionando estos transistores, y aparentemente seguirá usando los GAAFET en su nodo litográfico de 1.4 nm, aunque con un cambio bastante importante como es el número de nanoláminas apiladas.

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