Samsung se centrará en mejorar los GAAFET en su proceso de 1.4 nm

Samsung Foundry ha sido la primera compañía en utilizar los transistores de efecto de campo de puerta envolvente (GAAFET) en uno de sus nodos litográficos, lo cual le ha permitido acercarse a las características de los nodos más avanzados de TSMC. Pero la compañía va a seguir evolucionando estos transistores, y aparentemente seguirá usando los GAAFET en su nodo litográfico de 1.4 nm, aunque con un cambio bastante importante como es el número de nanoláminas apiladas.
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