SK Hynix sigue avanzando en las tecnologías de memoria del futuro cercano, y hablará de ellas en la próxima Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) que se celebrará a finales de febrero. La primera de ellas será la HBM3 (memoria de alto ancho de banda versión 3) que está desarrollando y que alcanza los 896 GB/s de ancho de banda.
Ese dato es por chip, teniendo en cuenta un bus de 1024 bits y funcionando a 7 GHz. La actual HBM2 funciona a unos 2 GHz, con una versión HBM2e que puede alcanzar los 3 GHz aunque no se ha usado demasiado en productos de consumo. La anterior HBM3 anunciada tenía un ancho de banda de 819 GB/s con una frecuencia de 6.4 GHz. Serán también chips con una capacidad de 24 GB.
La otra tecnología de la que hablará es de la GDDR6, la cual podrá alcanzar próximamente los 27 GHz. Es de lo que hablará en la conferencia, y serán chips de 2 GB de capacidad. Para conseguir esas frecuencias parece que se usarán diversas técnicas de procesamiento de señales y cambios en el bus o el reloj de escritura (WCK). Será interesante ver qué puede hacer Micron con su GDDR6X para alcanzar esas velocidades.
Vía: Videocardz.
