Una de las novedades de la memoria DDR5 es la capacidad máxima que pueden tener los módulos. Al mover la gestión de energía al propio módulo y al usar chips de mayor capacidad se pueden crear módulos para el sector consumo de 128 GB aunque inicialmente serán más bien de 32 GB. Es una mejora sustancial frente a los 32 GB que pueden tener los de DDR4 ahora mismo. Pero en el sector empresarial eso parece poco y Samsung está trabajando en proporcionar módulos de hasta 768 GB.
Lo haría con los nuevos chips de memoria DDR5 que está desarollando y que tendrían una capacidad de 24 Gb (3 GB) en lugar de 16 Gb (2 GB) usados para el sector consumo. Los chips de memoria encapsulados contienen al final ocho de estos chips (24 GB cada uno) unidos mediante vías a través del silicio, y cada módulo RDIMM para centros de datos incluye 32 de estos chips de 24 GB, por lo que el total de cada módulo se va a los 768 GB.
La compañía está creando estos chips de memoria DDR5 con un proceso específico de 14 nm en el cual usa luz ultravioleta extrema en cinco capas. La creación de celdas de memoria es más complejo que el de los simples transistores de un procesador y por un tema de asegurar la fiabilidad se usan procesos más asentados para crear la DRAM. Aun así, Samsung está siendo mucho más conservadora que su competencia, como SK Hynix o Micron, que al final su negocio gira solo en torno a la memoria.
Vía: Tom's Hardware.
