Hay algunas noticias que son recurrentes, y una de ellas es la fecha de producción de obleas con el proceso litográfico de 3 nm de TSMC. La compañía sigue adelante con sus planes de desarrollo a pesar de la coyuntura sanitaria, ya que otras compañías como Samsung han tenido que hacer ajustes en su itinerario de procesos litográficos. Sea como sea, vuelve a decirse que TSMC estará lista para producir a 3 nm en la segunda mitad de este año, aunque se trata de la producción de prueba por lo que todavía habría que esperar hasta 2022 para la producción en masa.
La producción inicial de obleas a 3 nm se estima que será en torno a las 30 000 iniciadas al mes con un crecimiento constante hasta las 55 000 a finales de 2022 y las 105 000 en 2023. Ese dato es más o menos el mismo volumen de obleas que está iniciando a 5 nm actualmente cada mes, 105 000; no tengo claro si en estas previsiones se tienen en cuenta la apertura de nuevas fábricas y expansiones de línea de producción a 5 nm. Ese proceso de 3 nm sería el que también usaría para abastecer a Intel de ciertos chips si es que esos rumores son ciertos.
Del nodo de 3 nm se esperan mejoras de consumo en torno al 30 % a misma frecuencias o un aumento de potencia del 15 % a mismo consumo. Los chips a 3 nm se fabricarán con el proceso litográfico de luz ultravioleta extra (UVE), pero en este caso TSMC seguirá con la estructura FinFET, por lo que no hay cambios en el modelo de creación de los transistores.
Vía: TechPowerUp.
