Samsung se ha adelantado a su competencia a la hora de anunciar el inicio de la producción del almacenamiento ultrarrápido UFS 3.0 en chips de 512 GB, lo que permitirá dotar de un empujón de rendimiento adicional a los móviles de gama alta. No ha estado lista para el Galaxy S10, pero para él va a usar hasta los chips UFS 2.1 de 1 TB que anunciara el pasado mes de enero.
Este tipo de chips de almacenamiento flash universal embebido (eUFS) se encapsula junto al controlador de memoria y al procesador. Con esta versión de eUFS también llegan aumentos de velocidad máxima, que ahora pasa a ser de 2100 MB/s de lectura secuencial y 410 MB/s de lectura secuencial, así como de 63 kIOPS de lectura aleatoria y 68 kIOPS de escritura aleatoria.
La memoria eUFS 2.1 anunciada por Samsung en enero llegaba a los 1000/260 MB/s de lectura/escritura secuencial y los 58/50 kIOPS de lectura/escritura aleatoria de archivos pequeños, por lo que la mejora de rendimiento no es tan notable —la velocidad secuencial pocas veces se consigue salvo que se copien archivos grandes como películas o vídeos—. La lectura/escritura aleatoria de la eUFS 3.0 está en la línea de una unidad de estado sólido tipo SATA3, algo por debajo de las de mayor calidad. En cuanto a la más común eMMC 5.0/5.1 usada en la mayoría de móviles, suele situarse en una velocidad aleatoria de lectura/escritura de 7-11/13 kIOPS.
Samsung también ha indicado que tendrá en producción chips eUFS 3.0 de 128 GB, y que iniciará la producción de modelos de 256 GB y 1 TB en la segunda mitad del año.
Vía: Samsung.
