Uno de los mayores avances en la producción de memoria de todo tipo de los últimos años es la creción de vías a través del silicio o TSV. Esto ha permitido que los chips de memorias, que son varias capas de memoria apiladas y conectadas en sus extremos por nanohilos, puedan compactarse con conexiones realizadas a través de cada capa en vertical. Las TSV se estaban usando hasta ahora en la DRAM y NAND 2D, y ahora Toshiba ha conseguido usarlas en la NAND 3D.

Los chips de NAND son de tipo TLC o tres bits por celda en la que se guarda información, y es un proceso de fabricación de chips de NAND 3D de 48 capas. Toshiba indica que se reduce el consumo de los paquetes de memoria que se pueden crear empleando las TSV, una menor latencia, un mayor ancho de banda, además de permitir una mayor capacidad.

Toshiba ha mostrado dos prototipos de nuevos chips NAND 3D que empaquetan 8 y 16 de estos chips para un total de almacenamiento de 512 GB y 1 TB, en paquetes que tienen un tamaño de 14 × 18 × 1.35 mm en el primer caso, y de 14 × 18 × 1.85 mm en el segundo, a una velocidad por pin de 1066 Mb/s.

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Vía: The Tech Report.