Samsung comentó el pasado verano que en el terreno de las tecnologías de chips de memoria, la GDDR5 ya está muy madura y que era hora de mirar a la GDDR6. La compañía coreana tiene intención de presentarla en 2018, y Micron no quiere quedarse atrás. En su congreso de analistas, la compañía ha establecido la hoja de ruta para el futuro cercano, y eso incluye el primer comentario sobre la GDDR6.
Están listos para aumentar la producción de la memoria NAND 3D de 64 capas para abaratar el coste de la memoria de los SSD un 30 %, aunque no estará lista hasta final de año en cantidades significativas. Estará disponible en chips de capacidades de 256 Gb con un tamaño de 59 mm2 —7.7 x 7.7 mm—, el menor de cualquier fabricante, y 512 Gb.
También presentarán nueva memoria fabricada con un proceso de integración de 16 nm para la memoria GDDR5, que será la punta de lanza para la llegada de la GDDR6. Aunque no tienen mucho más que decir al respecto en este momento, estará lista a finales de este año o principios de 2018. La velocidad de entrada de este tipo de memoria para Micron es de 10 Gbps para usos en equipos de red por ejemplo, aunque Samsung aseguraba que sería de 16 Gbps para tarjetas gráficas, que es bastante más que los 8 Gbps de la GDDR5, o los 10 Gbps usada en la GDDR5X de tarjetas como para GTX 1080.
A lo que no ha hecho Micron referencia es a cuándo pondrá en el mercado chips de 3D XPoint, tecnología desarrollada junto a Intel, y usada por ahora en los SSD de tipo Optane, aunque tienen dos nuevas generaciones de esta memoria en desarrollo.
Vía: AnandTech.
