Mientras el sector espera la llegada de chips fabricados a 2 nm, Samsung Foundry ha seguido avanzando en el desarrollo de su nodo con transistores de puerta envolvente (GAAFET). Según varias fuentes, ya habría alcanzado una productividad superior al 40 % en la actual fase de pruebas, lo cual habría llamado la atención de clientes como NVIDIA y Qualcomm, que estarían valorando el uso de este nodo para futuros procesadores de consumo y chips de inteligencia artificial.
Los progresos serían especialmente relevantes si se tiene en cuenta el historial del nodo de 3 nm de Samsung, que se vio lastrado por problemas de productividad durante su introducción. Aunque TSMC sigue por delante con una productividad cercana al 60 % en su nodo de 2 nm, el de Samsung se perfilaría como una opción viable para fabricantes que buscan reducir su dependencia de TSMC, especialmente en un contexto de incertidumbre geopolítica.
Samsung prevé iniciar la producción en masa en la segunda mitad de 2025, en línea con el calendario estimado para los primeros productos comerciales. Además, ha cerrado un acuerdo con Preferred Networks para la producción de chips con encapsulado 2.5D, lo cual reforzará su posición en el ámbito de los chips centrados en IA.
Vía: WCCFTech.
