China ha sido la primera en desarrollar una nueva memoria de acceso aleatorio que es flexible, basada en la resistividad, y está hecha de metal líquido. Concretamente está basada en galio, un metal con un punto de fusión muy bajo (29.76 ºC). Su nombre es FlexRAM, y podría ser muy útil para ciertas aplicaciones (wearables, dispositivos flexibles, implantes, etc.).
Así lo han publicado en la revista Advanced Materials:
Inspirándose en los mecanismos de polarización y despolarización del cerebro humano, aquí se propone una nueva clase de principios de almacenamiento de datos y se consigue una memoria totalmente flexible mediante la introducción de los comportamientos de oxidación y desoxidación de los metales líquidos.
Las gotas de galio (GLM, gallium-based liquid metal) permiten ser estiradas hasta cierto punto sin que se rompan, dado que es un material muy denso y cuya tensión superficial mantiene unido a este elemento. Por tanto, mientras no exista una rotura o separación del líquido, no influirá en su funcionamiento. Además, el GLM estará protegido por otro líquido mucho más denso.
Mientras el GLM se empleará para las reacciones de ionización química de oxidación (pérdida de electrones) y reducción (ganancia de electrones), la solución gelatinosa que lo rodea se empleará para los procesos de hiperpolarización (polarización positiva) y despolarización (polarización negativa).
¿Cómo funciona la FlexRAM?
Al aplicar un voltaje bajo a ese otro elemento denso, se puede polarizar de forma positiva o negativa, lo que a su vez hace que el metal líquido de la FlexRAM se oxide para representar un uno binario o se reduce para representar un cero binario respectivamente. Por tanto, para almacenar los datos, tan solo se tiene que usar una señal de modulación de pulsos (PWM) para controlar estas reacciones en el GLM.
De esta forma se pueden almacenar bits, aunque los primeros experimentos muestran aún grandes limitaciones. La FlexRAM que han mostrado usa una matriz de ocho GLM para almacenar ocho bits de información, es decir, tan solo un byte. El tamaño es otro de los problemas ya que se habla de gotas milimétricas, aunque parece que se podría conseguir también reducir a escala nanométrica.
Por otro lado, la velocidad a la que puede trabajar esta memoria es, por ahora, de tan solo 33 Hz. Además, según los investigadores, esta memoria podría almacenar los datos durante unos 3500 ciclos de escritura/borrado, es decir, un tiempo de 43 200 segundos, lo que equivale a unas doce horas. Por tanto, aún se necesita desarrollo y tiempo para que esta tecnología madure.
Vía: Tom's Hardware.
