TSMC es de momento la compañía con la litografía más puntera, a cierta distancia de Intel y a bastante más de Samsung. Pero para marcar diferencias hay que empezar a destacar en el terreno de la densidad de chips, sobre todo para mantener el aumento de potencia actual entre generaciones. Según el itinerario de la compañía, compartido en el pasado IEDM, espera que para 2030 los módulos multichip alcancen el billón de transistores, mientras que espera que los chips monolíticos superen los 200 000 millones de transistores.
Eso ocurrirá con el cambio esperado para 2030 al proceso litográfico de 1 nm o 10 Å, que la compañía llama internamente A10. Antes tienen que llegar los de 1.4 nm en 2027, y más cerca aún, en 2025, el proceso de 2 nm y una versión mejorada de este.
Para conseguirlo expuso en la conferencia, junto con las trasparencias mostradas, las técnicas que va a usar, y que incluyen cambios en materiales, maquinaria litográfico o estructuras de los propios transistores. También serán importantes los nuevos métodos de encapsulado de chips, que además de unirse horizontalmente se podrán unir verticalmente, apilados, para conformar los encapsulados 3D.
Vía: Tom's Hardware.
