Samsung se está conformando con ser la fundición en la que las principales tecnológicas diversifican su producción para no depender solo de TSMC. Sus procesos litográficos son buenos, pero no tan buenos como los de la taiwanesa, aunque en Samsung Foundry esperan empezar a recortar distancias con la segunda generación del proceso litográfico de 3nm —SF3, en terminología de la compañía— porque añadirá importantes mejoras. La compañía espera que este proceso y el siguiente de 4 nm mejorado entren en producción en la segunda mitad de 2024.
El proceso de 3 nm de segunda generación (SF3E) de Samsung va con retraso como la propia compañía ha indicado anteriormente frente a la segunda generación de TSMC. Es un proceso que permitirá a sus clientes modificar el ancho de las nanoláminas de los GAAFET para que puedan ajustar más finamente la potencia y consumo de los chips que salgan de las fábricas de Samsung. También modificará el sistema de entrega de energía a los transistores.
Sobre el nodo de 4 nm mejorado, es para computación de alto rendimiento (SF4X), por lo que es un proceso litográfico que permitirá unas frecuencias de funcionamiento mayores, voltajes mínimos menores, mayores voltajes estables, generalmente relacionadas con voltajes mayores, pero a su vez con reducciones en el tamaño de los transistores para aumentar el número de núcleos —lo cual lleva a mayores temperaturas— así como una mejor eficiencia energética. Para ello suelen también variar los materiales de fabricación respecto a los procesos litográficos normales, y al final son nodos litográficos de mayor coste. Samsung indica específicamente que proporcionará un 10 % más de rendimiento con un 23 % de redución de consumo, gracias en parte a un rediseño de la fuente y drenador de los transistores.
Vía: AnandTech.
