Samsung lleva tiempo intentando mejorar su imagen de cara a los diseñadores de chips para que elijan a Samsung Foundry como la empresa que los produzca. Históricamente Samsung ha considerado esa parte de su negocio, la producción para terceros, como algo colateral y lo ha hecho puntualmente para empresas como Nvidia. Pero a la vez que intenta atraer clientes a sus fundiciones de chips, la compañía ha mejorado notablemente la documentación y herramientas de diseño y validación, lo cual es clave para convencer a potenciales clientes. Eso y, claro está, que sea una alternativa más barata que TSMC.

Esto último se está poniendo como motivo para que Qualcomm hubiera elegido a Samsung como el fabricante exclusivo del Snapdragon 875, o sea cual sea el nombre que tendrá el próximo procesador insignia de la empresa californiana. Samsung habría ofrecido a Qualcomm producir el chip a un coste menor que TSMC, y no es poco habitual que lo haga aún más barato si se puede quedar con una parte sustancial de chips para sus propios productos.

El acuerdo entre Samsung y Qualcomm ya estaría firmado, y estaría asignado a fabricar el chip con el proceso litográfico de 5 nm FinFET, el cual hace un uso extenso de la luz ultravioleta extrema para producir más capas de las obleas, reduciendo costes y tiempos de producción. Digitimes mencionó hace unos meses todo lo contrario, que TSMC sería la fundición elegida para el Snapdragon 875, debido a que Samsung tendría problemas de rendimiento de producción de su proceso de 5 nm.

Samsung el segundo mayor fabricante de semiconductores del mundo, aunque la mayoría de lo que produce sea para sus propios dispositivos, como memoria NAND para sus SSD y procesadores Exynos para sus móviles, por no mencionar chips de sensores de imagen y otros tipos de microprocesadores para sus electrodomésticos, entre otros muchos. Su itinerario de procesos litográficos alcanza hasta los 2 nm, aunque será en el paso a los 3 nm cuando cambiará el tipo de transistor del FinFET al GAAFET, lo cual en realidad le posiciona por delante de TSMC ya que mantendrá el uso de FinFET en su proceso de 3 nm y se desconoce cuando hará el inevitable cambio de tipo de transistores.

Vía: TechPowerUp.