Los fabricantes de chips están en una dura batalla por ver quién reduce cada vez más el tamaño de los transistores. Bueno, en realidad son solo dos, Samsung y TSMC, y ambas van muy a la par, porque el resto de fabricantes de chips no han conseguido mantener el ritmo de desarrollo de procesos litográficos. En el caso de Samsung, la compañía ha anunciado que tiene listo su proceso de 5 nm FinFET basado en luz ultravioleta extrema (UVE).
Este hito tiene lugar seis meses después de empezar a producir chips con su proceso de 7 nm debido a que comparte buena parte de la tecnología. El desarrollo de chips para ambos procesos es muy similar, pero con la ventaja de que el de 5 nm permite una reducción del área de hasta un 25 %, con un 20 % menos de consumo o un 10 % más de potencia respecto al proceso de 7 nm.
El uso de la luz UVE se limita a las capas metálicas, reduciendo la complejidad de otros procesos litográficos anteriores que se usaba patrones múltiples para crear cada capa. Samsung ha indicado que ya tiene disponible las bibliotecas, metodologías y kits de diseño para crear chips con este proceso.
