IBM es de las empresas que más gasta en investigación, y eso tiene como resultado productos innovadores como el presentado en una sesión del MRAM Developer Day. La memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva (MRAM) es un tipo de memoria rápida y no volátil que se ha venido utilizando como búfer en diversos dispositivos debido a la baja densidad de capacidad que tiene si se compara con la NAND.

Everspin e IBM se han unido para anunciar una nueva serie de SSD que aprovecha la MRAM producida por Everspin como caché. El chip utilizado está fabricado con el proceso de 22 nm FD-SOI (22FDX) de GlobalFoundries, que le ha reportado bastantes ingresos a la compañía en los últimos meses, y que estará disponible en tamaños de 1 Gb (128 GB), lo que favorece su uso en proyectos a mayor escala.

El módulo FlashCore de IBM con MRAM estará disponible en las SSD de la compañía, las cuales tendrán tamaños de 4.8 TB, 9.6 TB y 19.2 TB, orientados al sector profesional al ser discos de 2.5 pulgadas con interfaz U.2. Tienen encriptación y sistemas de protección ante pérdidas de energía, y la MRAM usada como búfer interviene en esa protección al no requerir la inclusión en estos discos de condensadores que permitan realizar la copia de la información del búfer al disco antes estos cortes de corriente.

La memoria NAND 3D utilizada es de 64 capas, y utiliza una interfaz PCIe 4.0 ×4 compatible con PCIe 3.0. IBM también indica que usan una FPGA como controlador de la memoria NAND, con algoritmos avanzados para reducir el desgaste de las celdas, mejor gestión de velocidades para que sean más consistentes por ejemplo en la reproducción de contenido multimedia, y en general mejorar la fiabilidad y durabilidad de los discos. También es compatible con FIPS 140.

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Vía: AnandTech.