Los preparativos para la próxima generación de tarjetas gráficas está marchando viento en popa, ya que Samsung ha anunciado que ha iniciado la producción en masa de chips de 16 Gb (2 GB) de memoria GDDR6, a sustituir a la GDDR5 y GDDR5X usada por Nvidia y AMD en sus tarjetas gráficas. Son chips fabricados utilizando una litografía de 10 nm, lo que permite aumentar la densidad de los chips frente a los de GDDR5 fabricados a 20 nm, que eran de 8 Gb.

Estos chips cuentan con una velocidad de 18 Gb/s por pin para permitir transferencias de hasta 72 GB/s, más que doblando los 8 Gb/s por pin de la memoria GDDR5. El voltaje, gracias a la reducción de litografía, se queda en los 1.35 V frente a los 1.55 V de la GDDR5. Samsung también ha conseguido un rendimiento de producción un 30 % mayor con el proceso de fabricación de estos chips frente al usado con los GDDR5 a 20 nm.

La compañía anunció recientemente la producción de chips HBM2 a 2.4 Gb/s, y anteriormente indicó que su memoria GDDR6 empezaría en los 16 Gb/s —o 16 GHz, como lo queráis escribir—. Otras compañías como SK Hynix anunciaron que su GDDR6 se quedaba en los 14 Gb/s como mucho, por lo que Samsung está consiguiendo grandes logros en el terreno de este tipo de memoria para las próximas tarjetas gráficas.

Vía: Samsung.