Samsung fue la primera compañía en introducirse en el mundo de la memoria NAND 3D con lo que llama V-NAND, y de momento sigue liderando el sector tanto en ventas como en propuestas de alto rendimiento. En el Flash Memory Summit de Santa Clara (California) ha anunciado nuevos chips V-NAND, así como un nuevo factor de forma para los dispositivos M.2.
El nuevo chip V-NAND permite almacenar 1 Tb por pastilla, lo que permitirá apilar 16 de ellos en un único encapsulado, creando así chips de 2 TB. También ha optado por crear un formato NGSFF (factor de forma reducido de nueva generación) no estándar que mide 30.5 × 110 × 4.38 mm en lugar de usar M.2 para el entorno de servidores, de manera que se pueden crear sistemas de 1U con una capacidad de 576 TB utilizando 36 SSD de formato NGSFF de 16 TB. En este terreno Intel le lleva la delantera, ya que su apuesta es de meter 1 TB en 1U en armarios.
Ha vuelto a sacar a la palestra la Z-SSD presentada el año pasado, ya que se usará en centros de datos y sistemas empresariales, que dispone de unas latencias de lectura que es un séptimo de la latencia de los SSD de tipo NVMe. Por último, ha creado un sistema propietario de SSD denominado Clave Valor. En lugar de guardar la información en bloques, se guardan asignando posiciones específicas de memoria a cada valor, independientemente de su tamaño, lo que permite acceder a la información de forma más directa.
