Samsung es posiblemente el principal productor de semiconductores del mundo, y eso implica que tiene una fuerte presencia en el sector de la memoria flash, cuyo congreso más importante se está celebrando en California. En el Flash Memory Summit, la compañía ha presentado las nuevas tecnologías que tiene en desarrollo y que llegarán próximamente al mercado.

La memoria NAND es el pilar de los SSD ya que en estos chips se almacena la información. Para volverla más compacta, Samsung presentó en 2014 un nuevo proceso NAND 3D con el que se podía apilar 32 capas de memoria en un mismo chip. Con el tiempo se ha pasado a 48 capas por otros fabricantes que van un poco más rezagados, y Samsung ha dado un paso más allá al apilar 64 capas de memoria NAND en un único chip. Esto lleva a 512 Gb (64 GB) la capacidad de cada chip de memoria, llevando esta cuarta generación de memoria V-NAND (el nombre que le da Samsung a la memoria NAND 3D) por encima de la competencia. Por ahora.

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Esta memoria habilita a Samsung a presentar un SSD de 1 TB en un único chip BGA (para soldar a placa) con celdas de triple nivel (TLC), que además incluye el controlador y memoria LPDDR4. Su velocidad alcanza los 1.500 MB/s y 900 MB/s de lectura y escritura secuencial, y con una interfaz de hasta 800 Mbps. El tamaño del chip es de 11,5 x 13 mm, lo que también lleva a que Samsung pueda poner a la venta el SSD de 32 TB PM1643, con conector SAS para entorno de servidores.

Samsung también ha presentado un M.2 en tamaño no estándar, 32114 (32 de ancho y 114 de longitud) que difiere significativamente del más habitual y estándar 2280. Con estos chips podrá ofrecer 16 TB en este formato 32114 para el sector empresarial, con hasta 256 TB de almacenamiento en un servidor de tamaño 1U. En otro orden de cosas, Samsung espera tener a la venta en 2020 un SSD de bastante más ded 100 TB de capacidad.

Por último, la compañía ha anunciado un nuevo tipo de memoria que claramente ataca a lo que Intel y Micron han conseguido con la memoria 3D XPoint. Se trata de la nueva memoria Z-NAND, el nombre comercial de esta nueva tecnología de la que no ha comentado gran cosa la compañía. Pero habrá diversos SSD (o Z-SSD como los comercializará) a la venta, uno de 1 TB este año y otros de 2 y 4 TB en 2017, con mayores velocidades de lectura y escritura secuencial y aleatoria, con tiempos de latencia similares a lo que Intel y Micron van a poner a la venta.

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Vía: Samsung, AnandTech.