Etiqueta: SSD

Microsemi es un productor de chips de todo tipo, si bien se centra en ASIC, FPGA, y controladores para diferentes tipos de comunicaciones. Eso incluye también controladores de SSD, y anunció hace unos días uno orientado a modelos de muy alto rendimiento, ya que permite gestionar conexiones PCIe 4.0, con un enlace de ×8, lo que dotaría a las SSD de una velocidades realmente elevadas.

SK Hynix es una de las cuatro grandes productoras de memoria NAND, y en un sector tan competitivo hay que estar innovando continuamente. La NAND 3D fue introducida por Samsung hace unos años con el nombre de V-NAND, y después de ello llegaron las de otras compañías. Con respecto a la NAND tradicional, aumentaba el número de capas apiladas de memoria de menos de una decena a una treintena —ahora llegan a 96—, aumentando la densidad de información por chip y abaratando los costes de producción por giga.

Intel está haciendo una apuesta por el sector del almacenamiento con sus SSD con memoria 3D XPoint que se comercializan bajo la marca Optane, pero no se olvida de su memoria NAND 3D más tradicional. En una conferencia sobre tecnologías para centros de datos en Santa Clara, Intel ha dado información sobre el futuro de sus SSD para centros de datos, y todo pasa en el futuro próximo por un nuevo formato para servidores con unas características que llamarán poderosamente la atención de las empresas.

Los fabricantes de memoria flash han estado explorando en los últimos años diversas formas de reducir la latencia de acceso para acercarla más al de la memoria NAND. Eso ha llevado a que Intel y Micron desarrollaran la memoria 3D XPoint, y que Samsung también tenga su memoria Z-NAND de baja latencia. Toshiba no se queda atrás, y ha anunciado el desarrollo de la memoria XL-Flash que reducirá notablemente la latencia de acceso a la memoria.

IBM es de las empresas que más gasta en investigación, y eso tiene como resultado productos innovadores como el presentado en una sesión del MRAM Developer Day. La memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva (MRAM) es un tipo de memoria rápida y no volátil que se ha venido utilizando como búfer en diversos dispositivos debido a la baja densidad de capacidad que tiene si se compara con la NAND.

Intel es la primera compañía en hacer llegar la nueva memoria NAND 3D de tipo QLC (cuatro bits por celda) al sector de consumo con la serie 660p. Lo que vaticina este tipo de memoria es una bajada de precios de las SSD de tipo PCIe 3.0 ×4, ya que esta serie cuenta con esta interfaz y un protocolo de comunicación NVMe 1.3. Estará disponible en breve en tamaños de 512 GB, 1 TB y 2 TB, en formato M.2 2280.

La memoria NAND está bajando de precio, y va a seguir haciéndolo, gracias a diversas razones, entre las cuales se incluye la llegada de la memoria NAND 3D de tipo QLC. Esto significa que se almacenan cuatro bits por celda de información en los chips, en vez de tres bits, lo que aumenta su capacidad de manera práctica en un 33 %. Con ello, la producción de gigas por oblea, por decirlo así, aumenta, y con ello se reduce el coste del giga.

Tras una escalda de precios de año y medio, el recio de las SSD han estado bajando desde principios de año. Aparentemente, según DRAMeXchange, una división de TrendForce, el precio seguirá a la baja durante el resto del año, incluso pasada la época estival donde la demanda de componentes de PC suele ser más baja. Actualmente se pueden encontrar en España algunos modelos por unos 17 céntimos por giga, y en general andan la mayoría en torno a los 20 cts./GB, que es notablemente menos que los 28 a 30 cts./GB al que estuvieron.

Los fabricantes de memoria NAND 3D están envueltos en el proceso de actualización de sus sistemas de producción a la memoria QLC que permite almacenar cuatro bits de información por celda. Estos procesos implican un aumento de la capacidad en el mismo tamaño de chip, lo que lleva a reducir costes de producción a mismo rendimiento de producción de la oblea. En este caso, un 33 % más al pasar de tres bits por celda de la TLC a cuatro bits de la QLC.

Toshiba ha aprovechado la nueva memoria NAND 3D de 96 capas que ha codesarrollado junto a Western Digital para vertebrar una nueva línea de SSD, la XG6. Estará disponible únicamente en formato M.2 2280 con interfaz PCIe 3.0 ×4 y un protocolo NVMe 1.3a, haciendo uso del mismo controlador TC58NCP090GSD desarrollado por Toshiba. Estará disponible en capacidades de 256 GB, 512 GB y 1024 GB.