La china CXMT lanzará antes de fin de año su primera DRAM con celdas 4F²
Las celdas de la DRAM actual ocupan 6F², es decir, 3F por 2F, siendo F la dimensión mínima de la litografía, y los fabricantes llevan años intentando bajar a 4F², de 2F por 2F, lo que reduce un tercio lo que ocupa con la misma litografía. Para conseguirlo hay que extender verticalmente los transistores de cada celda, lo cual es algo que ningún fabricante de chips de memoria ha hecho todavía. Ahora, Cao Kanyu, el presidente de CXMT, ha dicho que su primer producto con celdas 4F² será un módulo DDR5 RDIMM para servidores que llegará antes de final de año.
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