Micron anunció hace unos días su memoria NAND 3D de 232 capas, la de mayor capacidad hasta el momento, pero SK Hynix le ha arrebatado el título con el anuncio de su NAND 3D de 238 capas tipo TLC. La compañía la llama «NAND 4D», pero son ganas de liar la nomenclatura. La llama así porque mueve los circuitos periféricos bajo las celdas, en lugar de ponerlas al lado de la pila de celdas de memoria, pero es lo que están haciendo todas las compañías del sector.
El objetivo de esa «NAND 4D» es ahorrar espacio en las obleas para producir más capacidad en cada una, pero hablar de «cuatro dimensiones» no tiene mucho sentido. SK Hynix no ha dado muchos detalles de esta nueva memoria, como por ejemplos cuántos planos incluye, pero sí que ha anunciado un aumento del 50 % de la velocidad por chip hasta los 2.4 Gb/s. Le acompaña una reducción del 21 % en la energía necesaria para las lecturas de información.
Las primeras unidades de estado sólido (SSD) en utilizar estos chips estarán orientadas al sector consumo para PC. Posteriormente se crearán versiones en otros formatos para móviles inteligentes y SSD de alta capacidad para servidores. Los primeros chips tendrán una capacidad de 512 Gb (64 GB) y entrarán en producción en la primera mitad de 2023. Posteriormente producirán chips con el doble de capacidad, 1 TB (128 GB).
Vía: Tom's Hardware.
