Samsung es el principal fabricante de chips de DRAM, con mucha ventaja respecto a SK Hynix y Micron, y en parte es porque tiene los procesos litográficos más avanzados para producirlos. Si en marzo comenzó la producción de chips de DRAM usando luz ultravioleta extrema (UVE), ahora ha anunciado que tiene en producción en masa chips fabricados a una litografía de 14 nm con luz UVE en cinco de sus capas.
Este paso simplifica el proceso de producción de los chips al eliminar las capas que hay que producir con patrones múltiples, un sistema por el que se crea por ejemplo cada capa con cuatro máscaras en lugar de solo con una. Eso ahorra pasos intermedios y por tanto reduce el tiempo de fabricación de cada oblea. Lo curioso de este asunto es que Samsung haya puesto el nombre de «14 nm» a este proceso litográfico para crear DRAM ya que lo habitual en el sector es dejarlo más abierto mencionando 1x nm, 1y nm, 1z nm, etc., porque la DRAM no se basa en transistores sino celdas de memoria y por tanto son estructura muy distintas.
Samsung indica que ese uso de la luz UVE en cinco capas conlleva un aumento de la productividad del 20 %, y el proceso de 14 nm aporta una reducción del consumo del 20 %. Estos chips llegan hasta los 7200 MHz, frente a los que actualmente están produciendo las compañías de 4000, 4800, 5600 y 6400 MHz. Esto significa que dependiendo del margen de subida adicional que permita a los fabricantes de módulos de RAM se podría empezar a vislumbrar la llegada al mercado de módulos de 8000-10000 MHz dentro de poco. Los 7200 MHz no están todavía especificados por la JEDEC, aunque siendo Samsung parte del consorcio es de imaginar que implementará las latencias y subtiempos que estén valorando en la JEDEC que tenga.
Vía: Samsung.
