Samsung ha desplazado a Intel como el principal fabricante de semiconductores gracias a su potencial de I+D+i así como a disponer de las fábricas —también llamada fundiciones— más avanzadas del mundo para la producción de chips. Durante el Samsung Foundry Forum celebrado en EE. UU., la compañía ha actualizado su hoja de ruta en el apartado de los procesos de fabricación de chips, que actualmente van hasta los 3 nm.
El proceso 7LPP (7 nm low power plus o segunda generación) estará listo durante la primera mitad de 2019, y todavía están desarrollando la propiedad intelectual en torno a este proceso para facilitar el diseño e implementación de chips a terceros. Después de esto llegará el 5LPE (5 nm low power early, primera generación), seguido de los dos procesos 4LPE y 4LPP (4 nm) que habilitarán una migración sencilla de los diseños desde el 5LPE. No da una fecha exacta de llegada, pero será en torno a 2021 o 2022.
Más allá de ahí, llegará el 3GAAE (3 nm gate-all-around early) y 3GAAP (3 nm gate-all-around plus), que cambiará la forma en que se producen las obleas de las que se recortan los chips. Tiene que ver con superar las limitaciones de reducción de tamaño de los circuitos y de rendimiento de la arquitectura FinFET —transistores 3D—, que sería abandona a estos 3 nm con los transistores GAA.
Esos GAAFET son implementados como MBCFET (FET canal multipuente) por Samsung que usa nanoláminas para crearlos mejorando el control de la puerta o compuerta, uno de los terminales de los transistores, con mejoras de rendimiento a estos 3 nm. Anteriormente Samsung había indicado que usaría los GAAFET a 4 nm, pero ahora parece que ha movido la tecnología a los 3 nm. No esperaría esta tecnología antes de 2025, en función de cómo de rápido resuelvan las fundiciones los problemas de producción de chips a 5 nm.
Vía: TechSpot.
