Samsung lleva tiempo hablando y mostrando su nueva memoria para los SSD llamada Z-NAND, que es una versión de baja latencia de la memoria NAND actualmente utilizada. Es un competidor directo de la memoria 3D XPoint de Intel y Micron, y es el tipo de memoria a la que tendrán que hacer el salto los fabricantes de SSD en el futuro cercano. Aunque para ello falte todavía unos años, y de momento este tipo de memoria se quede en el sector profesional.

El primer modelo en usar la memoria Z-NAND es el SZ985 de 800 GB de capacidad, que obviamente lo venden para los sectores de moda: supercomputación e inteligencia artificial. Se trata de una tarjeta formato PCIe con una interfaz PCIe 3.0 ×4, fácilmente utilizable en cualquier equipo actual.

Samsung no ha dado muchos detalles técnicos sobre este modelo, pero indica que tiene hasta diez veces el rendimiento de lectura que sus chips V-NAND de tipo TLC, con lo que alcanza los 750 000 IOPS de lectura aleatoria, con una latencia de escritura que es un quinto de la normal, o unos 16 microsegundos, que el PM963, alcanzando los 170 000 IOPS de escritura. Según las características que se filtraron de este Z-SSD, también dispondría de una velocidad de lectura/escritura aleatoria de 3200 GB/s.

Samsung también ha indicado oficialmente que la durabilidad de este Z-SSD es de 42 petabytes, lo que lo convierte en uno de los modelos más fiables del emrcado, en el que se puede realizar 30 grabaciones enteras de su capacidad durante cinco años antes de que empiece a mostrar problemas. Es algo que con su velocidad no se va a conseguir, pero demuestra lo evolucionada que está la tecnología de este tipo de memoria en lo referente a las escrituras.

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