Investigadores de la Universidad de Utah han dado con la clave para lograr un notable aumento de velocidad en los PC y teléfonos del futuro, y este aumento pasa por cambiar el material del que están hechos los componentes electrónicos por un nuevo material semiconductor en 2D que acaban de desarrollar.
Este nuevo material cuenta con una capa de un átomo de espesor como ya se ha podido ver en otros materiales como el grafeno o el borofeno, y ha sido creado usando monóxido de estaño. La velocidad de este nuevo material viene derivada de su espesor, en los semiconductores de silicio, los usados actualmente, los electrones rebotan entre las capas de material, algo que no ocurre con este nuevo semiconductor al solo tener una capa.
Además este nuevo material es el primer semiconductor del mundo que es capaz, no solo de mover los electrones o cargas negativas, como cualquier otro semiconductor (materiales tipo-N 2D), si no también de mover los llamados agujeros o ausencia de cargas negativas (material tipo-P 2D), por lo que los electrones tardarán menos en llenar esos huecos con el consiguiente aumento de velocidad y reducción de consumo.
Los investigadores aún están trabajando en mejorar este nuevo material y dicen que esperan ver los primeros prototipos fabricados con el dentro de tres años, pero aseguran que estos serán cien veces más rápidos que los actuales, además de consumir notablemente menos lo que le convierte en un material muy interesante para implantes médicos.
Vía: Phys.
