La litografía basada en luz ultravioleta extrema va a dar un gran paso con los primeros chips que lleguen fabricados a 5 nm el próximo año, y TSMC estará a la cabeza de esa pequeña revolución. Lo es porque se pasará de usar este tipo de luz en la fabricación de cuatro o cinco capas como máximo de cada oblea a un máximo de catorce capas, con las consiguientes ventajas de velocidad de producción, consumo y rendimiento.
TSMC ha reiterado en boca de su vicepresidente y director ejecutivo C. C. Wei que la compañía está preparada para la llegada de los 5 nm y que van a cumplir con su propósito de que la producción en masa comience en el segundo trimestre de 2020. Además, lo harán de una forma muy agresiva por lo que la adopción y producción de chips con esta tecnología será mucho más rápida de lo que fue con los 7 nm.
Según Wei, lo han conseguido invirtiendo una gran cantidad de dinero para ello, pero a cambio esperan que la empresa crezca entre un 5 % y un 10 % el próximo año, o incluso más. La mayor rapidez de producción también la consiguen mediante la producción de sus propias películas litográficas usadas para la creación de capa capa de las obleas, para lo cual también tienen una gran capacidad de producción, y se han asegurado de disponer del volumen adecuado de elementos sensibles a la luz (fotorresistente).
Vía: AnandTech.
