Micron es uno de los fabricantes de DRAM y memoria NAND del mundo, y en su última conferencia de accionistas y analistas financieras habló de los próximos hitos que van a completar. Entre ellos se encuentran el desarrollo de nuevos procesos litográficos y la creación de módulos de 64 GB, pero también un aumento de la producción.

Empezando por lo último, la compañía va a expandir su capacidad en Japón y Taiwán, con la instalación de nuevas salas blancas para la fabricación de chips. Para ello ha abierto una nueva sala blanca (o sala limpia) en su campus de Taichung (Taiwán) y va a gastar 2000 millones de dólares en una nueva sala blanca cerca de su campus de Hiroshima (Japón). Serán usadas para producir obleas con su proceso de 1Z nm.

En cuanto al itinerario de la compañía, actualmente tiene el proceso litográfico de 1Z nm —de tamaño entre los 12 y 14 nm— en validación en sus clientes, los cuales están probando chips de DRAM. Pero tiene en desarrollo los procesos de 1α nm, 1β nm y 1γ nm. Son cuatro nuevos nodos de producción de clase 10 nm que usarán distintos procesos de fabricación para ir evolucionando en consumo, potencia y capas máximas de memoria por chip.

La fabricación de memoria requiere, por su funcionamiento, de procesos litográficos asentados y muy maduros para asegurar que no hay posibilidad de fallo alguno. Los chips de memoria no tienen tolerancia ante fallos como podría ocurrir con el chip de un procesador, y de hecho aquellos que tienen código de corrección de errores (ECC) son aún más caros, pero indispensable para labores de computación de alto rendimiento.

En el primer caso, el nodo 1α nm es una revisión del 1Z en el que se mejora el rendimiento de producción. En el 1β nm se mejora el proceso de integración de las capas de memoria pero está en sus primeras fases de desarrollo, y el 1γ nm parece que ya sí supondría una evolución de litografía, quizás yendo a los 10 u 11 nm, pero los ingenieros de la compañía están todavía buscando la arquitectura para conseguirlo. Más allá del 1β nm, Micron indica que va a ser un reto seguir desarrollando los proceso litográficos. Teniendo en cuenta que solo TSMC y Samsung han bajado de los 10 nm, fácil no va a ser.

Puesto que para sus actuales procesos y los que tiene en desarrollo usan litografía de luz ultravioleta, y más allá están explorando la luz ultravioleta extrema (UVE), pero a corto plazo la compañía no posee los recursos económicos para hacer un rápido desarrollo del proceso 1γ nm ya que pasarían a usar patrones cuádruples, y mucho menos para meterse en la litografía UVE. Por tanto, no es algo que ocurra en unos meses o unos años, sino más bien un plan para el próximo lustro.

Para ir más allá de los 10 nm está valorando la adquisición de equipos de la neerlandesa ASML, los escáneres Twinscan NXE que usan Samsung o TSMC para producir sus obleas con luz UVE. Pero se enfrenta a problemas de que para conseguir la uniformidad de las obleas de DRAM, que debe ser mayor que el de chips meramente lógicos como los procesadores, tendrían que irradiarlas con una alta cantidad de luz UVE —o sea, que pasen por varios escáneres en lugar de uno solo— haciendo el coste por oblea inasumible.

Por último, la compañía va a producir módulos de 64 GB usando chips fabricados con su proceso 1Y, pero orientados al sector empresarial al ser módulos de memoria con registro (RDIMM), que supondrán una reducción del consumo por módulo. También está proporcionando chips de 16 Gb con proceso 1Y para clientes como ADATA y Crucial para la creación de módulos generalistas de DDR4 de 32 GB de capacidad.

Vía: AnandTech.