TSMC mejora en 6 puntos porcentuales la productividad de su proceso de 2 nm
TSMC está ultimando el desarrollo de su proceso litográfico de 2 nm, que es la evolución natural del de 3 nm. Incluirá cambios mayores, como los transistores de efecto de campo de puerta envolvente (GAAFET), usados por Samsung en su proceso de 3 nm pero que aun así no ha servido para tener éxito con él por una baja productividad. TSMC es todo lo contrario, porque en las últimas optimizaciones realizadas por la compañía habrían conseguido un aumento de la productividad de seis puntos porcentuales.
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