El Gobierno chino ha invertido en los últimos años varias decenas de miles de millones para desarrollar arquitecturas de chips y procesos de fabricación. Fruto de esa inversión está Yangtze Memory Technologies (YMTC), dedicada a la memoria NAND 3D, y que ha anunciado la arquitectura Xtacking, que es bastante especial para cómo se hacen hoy en día los chips de este tipo de memoria.

Xtacking se basa en producir la lógica de la memoria NAND en una oblea, y en otra las celdas de la memoria NAND 3D que almacena la información en sí. Una vez se producen y recortan las obleas, se unen mediante la creación de pistas entre ellas en un tercer paso. Con ello, promete unos chips de memoria NAND 3D que tienen una velocidad de E/S en torno a los 3 Gb/s, frente a los 1.5 Gb/s de la memoria V-NAND de Samsung.

Al dividir la lógica y las celdas, YMTC puede producir chips de memoria NAND 3D más pequeños que los de la competencia, las cuales recurren actualmente a incluir todo en un mismo chip. Indican que el coste de producción no es significativamente mayor ya que, las obleas de 300 mm utilizadas, una se hace con un proceso de 180 nm, y la otra con un proceso no especificado pero aparentemente en torno a los 50 nm. Ningún fabricante de memoria NAND 3D lo dice, pero todas se sitúan en torno a eso. Por tanto, los costes de fabricación pueden ser incluso menores al ser los chips de memoria de menor tamaño, incluyendo el coste de crear las vías entre el chip de lógica y el de las celdas de memoria.

El anuncio ha tenido lugar en el Flash Memory Summit, que dura hasta el 9 de agosto, y en el que debería explicar un poco más sus planes de producción y puesta a la venta de estos chips de NAND 3D usando Xtacking.

Vía: AnandTech.