Características del Snapdragon 850 (portátiles) de Qualcomm
General | |
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Litografía | 10 nm Samsung |
Fecha presentación | 5 de junio de 2018 |
Procesador | |
Núcleos totales | 8 |
Hilos de ejecución | 8 |
Núcs. principales | 4 Kryo 385 a 2.96 GHz |
Núcs. secundarios | 4 Kryo 385 a 1.8 GHz |
Caché N1 | 16 kB |
Caché N1 datos | 16 kB |
Caché N2 | 1.5 MB |
Memoria | |
Interfaz de memoria | LPDDR4x |
Canales memoria | mono de bits |
Ancho de banda máx. | 14.93 GB/s |
Chip gráfico integrado | |
iGPU | Qualcomm Adreno 540 |
Frecuencia | 710 MHz |
Parámetros | |
Conectividad | |
Wifi | 802.11 ad, 802.11 ac MU-MIMO |
Bluetooth | 5.0 |
Características adicionales |
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