Etiqueta: Flash Memory Summit

SK Hynix sigue evolucionando su memoria NAND 4D, que es como llama a la memoria NAND 3D que produce por mover los circuitos periféricos debajo de los chips de memoria. Eso es algo que hacen todos los fabricantes ahora mismo, pero no por ello han pasado a llamarla todos NAND 4D. Sea como sea, ahora la compañía ha anunciado el desarrollo de chips de memoria NAND 3D que incluyen 321 capas de memoria para una capacidad total por chip de 1 Tb (128 GB), que es la más avanzada por ahora presentada.

Como parte de lo anunciado por la compañía Phison de controladores de SSD y el fabricante Seagate de SSD en la Flash Memory Summit 2022 se encuentra la plataforma X1. Estas unidades de estado sólido van a ser vendidas con una conexión U.3 e interfaz PCIe 4.0 ×4, lo cual es básicamente unidades de 2.5 pulgadas con un grosor de 7 mm o 15 mm según la capacidad total de la unidad. Utiliza memoria TLC de 128 capas fabricada por SK Hynix.

Samsung ha anunciado varias cosas en el Flash Memory Summit 2022, y una de ellas versa sobre UFS 4.0. Este almacenamiento ultrarrápido orientado a dispositivos móviles fue anunciado en mayo y ahora la compañía ha indicado que entrará en producción en masa este mismo mes de agosto. Va a ser un salto cualitativo y cuantitativo respecto a la UFS 3.0, empezando por su pequeño encapsulado de 11 mm × 13 mm × 1 mm.

Yangtze Memory Technologies (YTMC), el principal diseñador y productor de memoria NAND 3D de China, ha anunciado avances en la densidad de sus chips de memoria durante la Flash Memory Summit 2022. Actualmente produce NAND 3D de 128 capas y el nuevo chip X3-9070, basado en su tecnología Xtacking 3.0, aumenta la capacidad y velocidad al incluir seis planos, aunque no ha indicado exactamente cuántas capas tiene.

Micron anunció hace unos días su memoria NAND 3D de 232 capas, la de mayor capacidad hasta el momento, pero SK Hynix le ha arrebatado el título con el anuncio de su NAND 3D de 238 capas tipo TLC. La compañía la llama «NAND 4D», pero son ganas de liar la nomenclatura. La llama así porque mueve los circuitos periféricos bajo las celdas, en lugar de ponerlas al lado de la pila de celdas de memoria, pero es lo que están haciendo todas las compañías del sector.

SK Hynix es una de las cuatro grandes productoras de memoria NAND, y en un sector tan competitivo hay que estar innovando continuamente. La NAND 3D fue introducida por Samsung hace unos años con el nombre de V-NAND, y después de ello llegaron las de otras compañías. Con respecto a la NAND tradicional, aumentaba el número de capas apiladas de memoria de menos de una decena a una treintena —ahora llegan a 96—, aumentando la densidad de información por chip y abaratando los costes de producción por giga.