La principal novedad en la fabricación de chips de memoria en los últimos años ha sido la creación de las memorias 3D V-NAND, presentada en 2013. Este tipo permite que se incluyan muchas más capas de memoria apilada en un mismo chip, con el consiguiente ahorro de espacio, y que fue introducida por Samsung en el SSD 850 Pro.
La competencia de Samsung tardó un poco en alcanzarle, y eso ocurrió en marzo con una NAND 3D con capacidad de 128 Gbits. Ahora Toshiba y SanDisk anuncian hoy, un par de año después, que ya son capaces de producir memoria TLC NAND 3D de 48 capas con una capacidad de 256 Gbits (32 GB). Los primeros chips finales de prueba llegarán en septiembre
Lo interesante de esta memoria NAND 3D es que es la que se necesita para conseguir la bajada de precios de los SSD. Es más fácil de producir y se puede hacer además a mayor nivel de integración (Samsung la produce a 40 nm en lugar de a 19 nm como Toshiba).
Por el momento sólo Samsung, Toshiba y SanDisk van a producir memoria en 48 capas, dejando a Intel y Micron con memoria a 32 capas y 384 Gbits, y Hynix (proveedores regulares de Apple) con memoria a 36 capas de 128 Gbits.
Vía: AnandTech.