TSMC está realizando producciones de prueba de su proceso litográfico de 5 nm, el cual se empezará a usar para producción en masa en el segundo trimestre de 2020, y en un congreso del IEEE ha dado detalles del rendimiento de producción inicial.
Los resultados de la compañía son alentadores, si bien estas pruebas iniciales no son con productos de clientes sino con diseños de relleno que intentan emular chips reales. Uno de ellos, que viene a imitar a un procesador de teléfono inteligente —como uno serie A de Apple o un Snapdragon de Qualcomm—, alcanza un 80 % de rendimiento de producción —chips válidos sobre el total de chips extraídos de la oblea—.
Pero por otro lado, este proceso de 5 nm está bastante más verde para la producción de chips más grandes como puedan ser los procesadores de AMD. En este caso, solo se alcanza un 32 % de rendimiento de producción. TSMC tendrá que seguir mejorando el proceso de producción en masa para estos diseños, y es el motivo por el que los 5 nm estarán disponibles para AMD y otros diseñadores de chips de buen tamaño en torno a 2021.
Este proceso de 5 nm está diseñado para crear al menos diez capas usando luz ultravioleta extrema (UVE), lo que reduce el tiempo de producción de las obleas y mejora la potencia, área o consumo de los chips. TSMC sigue hablando de una reducción del 40-45 % del área, una potencia un 15 % superior o una reducción de consumo del 30 % para ellos.
Vía: AnandTech.