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Este año va a haber un empujón en la velocidad de los chips de memoria de vídeo usados en las tarjetas gráficas, o al menos eso afirman los rumores para las RTX 50 y RX 8000. De momento para que eso fuera así se tenía que aprobar la versión final del estándar GDDR7, y eso es lo que ha hecho finalmente la JEDEC. Es un mero trámite, porque los fabricantes de chips GDDR ya tienen en producción de prueba los chips de GDDR7 al ser parte activa del desarrollo de estos estándares de memoria. El estándar solo viene a validar lo que Micron, SK Hynix y Samsung son capaces de producir.

Micron está útimamente un paso atrás de Samsung y SK Hynix en el terreno de los chips de memoria pero le ha dado una vuelta de tuerca a sus chips UFS 4.0, que por ahora siguen usándose en los móviles y tabletas de gama alta. Esa vuelta de tuerca implica una reducción del tamaño, lo cual beneficia a los móviles porque supondrá una cierta reducción de espacio, que con lo pequeñas que son las PCB que incluyen nunca viene mal para hacer móviles más compactos.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) es la más buscada para acompañar a las GPU que se usan en las aceleradoras para inteligencia artificial como la H100 de NVIDIA. Que SK Hynix haya indicado que tiene vendida toda su producción de 2024 apunta a que es un negocio lucrativo que comparte con Samsung. Ahora la surcoreana ha anunciado el desarrollo de su HBM de mayor capacidad, una HBM3E de doce capas, lo cual habilitará chips de HBM3E de 36 GB de capacidad.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) es la que se está usando principalmente en las mejores aceleradoras de computación y en otros procesadores para centros de datos. SK Hynix y Samsung han mantenido el control de su producción, aunque también debido a que la GDDR6 es más barata de producir y de incluir en tarjetas gráficas y aceleradoras menos potentes. La HBM debe ir encapsulada junto al procesador, y la capacidad de encapsulamiento avanzado también es limitada. Sea como Sea, entre unas cosas y otras, SK Hynix ha dicho que tiene ya vendida toda la HBM que va a producir en 2024.

Micron ha anunciado la serie Pro Overclocking de módulos de DDR5 los cuales tienen una velocidad de 6000 MHz y unos subtiempos de 36-38-38-80. Se venderán en kits de dos módulos de 16 GB o 24 GB para un total de 32 GB o 48 GB, que para este tipo de memoria es lo estándar. También lo va siendo para los juegos AAA que han ido llegando al mercado en el último año.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) ha sido un tipo de memoria con una producción muy limitada por parte de Samsung y SK Hynix. Su desarrollo se realizó por estas dos además de AMD, y era un tipo de memoria con la que creía que obtendría un rendimiento mucho mayor en tarjetas gráficas. El problema es que los costes de integración son mayores, porque tiene que encapsularse pegada a la GPU, y la GDDR ha evolucionado hasta el punto de que la HBM en el sector consumo no sirve. Pero ante el auge de demanda de 2023, el precio de la HBM se habría quintuplicado, según la firma Yolo Group.

TeamGroup tiene un amplio catálogo de módulos de memoria pero en los tiempos que corren ha querido aportar su granito para reducir su impacto medioambiental de algunos de sus módulos. Lo hace con la serie T-FORCE Vulcan Eco, aunque se centra principalmente en el uso de aluminio reciclado para su dispersor de calor. Es una serie con modelos de 5600 y 6000 MHz, con distintos subtiempos.

El diseño monolítico de los procesadores Ryzen 8000G está beneficiando a la frecuencia máxima a la que se puede subir la memoria que la acompaña. Con subirla a los 8400 MHz, que el procesador y una buena placa base lo permiten, se puede igualar el rendimiento gráfico del procesador al de una GTX 1650. Pero la memoria se puede subir aún más, para arrancar el equipo. En este caso, se ha documentado que se pueden alcanzar los 10 600 MHz.

Las próximas jornadas de la Conferencia de Circuitos de Estado Sólido (SSCC) del IEEE va a ser bastante movido en cuanto a novedades. Si Samsung va a mostrar su segunda generación de GDDR7, SK Hynix, el otro gran producto de chips de memoria, va a mostrar una novedades importantes. La primera es su propia GDDR7, aunque en este caso es un chip de 2 GB (16 Gb) funcionando a 35.4 Gb/s, que es un poco menos que lo que Samsung va a mostrar.

Samsung anunció hace seis meses el fin del desarrollo de su GDDR7, la siguiente generación de memoria para las tarjetas gráficas más potentes que llegarán a finales de año. Es un punto y aparte respecto a la GDDR6, porque el salto de frecuencia va a ser más que importante, y casi desde un primer momento. Mientras que la GDDR6, y la GDDR6X de Micron, se ha quedado en torno a los 22 Gb/s, esta GDDR7 empezará en los 32 Gb/s. Samsung mostrará un modelo avanzado durante febrero en una de las jornadas de la Conferencia de Circuitos de Estado Sólido (SSCC) del IEEE.