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No todos los dispositivos necesitan los procesos tecnológicos más punteros y por eso en la actualidad se siguen utilizando mucho algunos procesos litográficos de más de 40 nm. Pero dentro de lo que cabe, todo tiene que evolucionar, y poniendo la mirada en el sector del internet de las cosas y la inteligencia artificial hay margen para mejorar el actual proceso 22ULP y 22ULL que ofrece TSMC a las compañías. El proceso tiene ventajas de un muy bajo consumo, idóneo para el internet de las cosas, pero la compañía ha desarrollado uno mejor y más específico de 12 nm denominado N12e.

TSMC es el mayor fabricante de chips para diseños de terceros, y no tiene pinta de pisar el freno en el desarrollo de nuevos procesos litográficos. La compañía ha confirmado que lleva unos meses iniciando obleas con su proceso litográfico de 5 nm (N5), pero tiene en desarrollo uno nuevo denominado N5P que proporcionará un 5 % más de eficiente energética y rendimiento con un 10 % de reducción de consumo.

Los principales productores de semiconductores saben perfectamente que la ley de Moore ha obligado a la reducción del tamaño de los transistores topándose con escollos en el proceso como es el tamaño de los propios chips. Para avanzar en esta ley lo que empresas como Intel y TSMC han desarrollado es, tomando buena nota de los productores de memoria, tecnologías de apilamiento de chips usando vías a través del silicio para unir distintos chips. Samsung es la siguiente en sumarse a estas tecnologías.

Los problemas por los que está atravesando Huawei con motivo de su bloqueo comercial con EE. UU. está teniendo ramificaciones en todo su proceso productivo. Puesto entra ya en efecto un veto de comercio con TSMC al usar tecnología estadounidense la fabricación de chips con los procesos litográficos más avanzados queda en el aire. Pero Huawei pretende ir pavimentando el futuro litográfico con una serie de acuerdos comerciales con compañías del sector de origen chino o claramente no relacionadas con tecnología de EE. UU.

Aunque las noticias más comunes sobre procesos litográficos tienen que ver con el nivel de integración de los transistores y otros componentes de las obleas, es igual o más de importante los materiales que se utilizan para crearlos. No todos los materiales utilizados siguen siendo válidos cuando se quiere pasar de procesos litográficos de 10 nm a 5 nm o cuando se pasa de crear las obleas con patrones múltiples a luz ultravioleta extrema. Samsung aparentemente ha hecho un gran avance en este apartado de los materiales al hacer viable el uso de nitruro de boro amorfo en la creación de los chips.

TSMC tiene un itinerario bastante apretado para los próximos años con diversos nodos y subnodos litográficos, y lo que hasta ahora era un rumor de que desarrollaba un nodo de 4 nm ha sido confirmado por el presidente del Consejo de Dirección, Liu Deyin. Ese nodo se trata de un subnodo del nodo principal de 5 nm (N5), y específicamente una versión de la versión de por sí mejorada N5P.

Uno de los problemas a los que se han enfrentado las compañías para llevar los procesos litográficos por debajo de los 7 nm es a la aparición de defectos por causas que no siempre son conocidas. En el proceso de producción suelen incluirse aparatos de medición para detectar posibles defectos en las obleas (metrología), pero hasta ahora no había una herramienta para los procesos más modernos con luz ultravioleta extrema y a 5 nm hacia abajo. ASML, el mayor fabricante de escáneres litográficos, ha anunciado la eScan1000, una herramienta para detectar defectos a esos niveles.

Fujitsu ha soltado lastre en el apartado de la producción de semiconductores al deshacerse de su participación en una empresa conjunta con UMC iniciada en 2014, finalizando la producción de semiconductores que llevaba realizando Fujitsu desde 1956. Tenía el 84.1 % de la empresa vendida, Mie Fujitsu Semiconductor (MIFS), de la que el 15.9 % restante pertenecía a UMC. La venta se ha realizado por unos 520 millones de dólares.