Puede que nadie fuera de Samsung quiera utilizar su proceso litográfico de 3 nm para sus chips, o muy pocas empresas, pero para su uso interno del entramado de Samsung es muy importante. Lo es también el próximo proceso de 2 nm que la compañía presentará formalmente en el Simposio VLSI 2024 que tendrá lugar en junio. Este proceso litográfico lo llama SF2, y será la tercera generación de sus GAAFET, que en su caso llama MBCFET como nombre registrado comercialmente.
Hace un par de meses surgió un rumor que decía que Samsung había renombrado su litografía de 3 nm (SF3) a SF2, o más bien alguna de las mejoradas. Samsung dijo que no comentaba rumores, pero que haría anuncios sobre Samsung Foundry en el futuro cercano. Esos anuncios, como se dice en esta noticia, serán en junio y serán relevantes para el futuro del servicio de fundición de chips de Samsung.
Samsung Foundry indica en el resumen de su presentación del simposio que esta 3.ª generación MBCFET proporcionará una ganancia de rendimiento de los transistores del 11-46 % según la orientación del chip y otros parámetros, y reducirá la variabilidad del rendimiento un 26 % respecto a una litografía FinFET sin especificar, además reduciendo a la mitad la corriente de fuga. Pues vale.
Vía: Tom's Hardware.
